Propiedades de AsH3 (Arsina):
Composición elemental de AsH3
Ejemplos de reacción para AsH3
Arsina (AsH₃): Compuesto QuímicoArtículo de Revisión Científica | Serie de Referencia de Química
ResumenLa arsina (arsano, AsH₃) representa el hidruro de arsénico más simple y un compuesto fundamental de pnictógeno con importancia industrial y toxicológica significativa. Este gas incoloro e inflamable exhibe una densidad de 4,93 gramos por litro a temperatura y presión estándar, hirviendo a −62,5 grados Celsius y fundiéndose a −111,2 grados Celsius. El compuesto adopta una geometría molecular piramidal trigonal con ángulos de enlace H–As–H de 91,8 grados y longitudes de enlace As–H de 1,519 ångströms. La arsina demuestra solubilidad limitada en agua (0,2 gramos por 100 mililitros a 20 grados Celsius) pero se disuelve fácilmente en disolventes orgánicos como cloroformo y benceno. Las aplicaciones industriales se centran en la fabricación de semiconductores donde sirve como un precursor crucial para la deposición de arseniuro de galio. El compuesto exhibe toxicidad extrema con límites de exposición ocupacional establecidos típicamente en 0,05–0,005 partes por millón debido a sus potentes efectos hemolíticos. La descomposición térmica ocurre de forma autocatalítica por encima de 230 grados Celsius, formando arsénico elemental e hidrógeno gaseoso. IntroducciónLa arsina (nombre IUPAC: arsano) constituye un compuesto inorgánico de fundamental importancia tanto en contextos químicos históricos como modernos. Como el hidruro de arsénico más simple, este compuesto pertenece a la familia de los hidruros de pnictógeno junto con el amoníaco, la fosfina, la estibina y la bismutina. El compuesto fue documentado por primera vez en 1775 por Carl Wilhelm Scheele mediante la reducción de trióxido de arsénico con zinc en medios ácidos. Este descubrimiento precedió al desarrollo de la prueba de Marsh, que se convirtió en una piedra angular de la detección forense de arsénico durante los siglos XIX y principios del XX. La importancia contemporánea proviene principalmente de su papel en la fabricación de microelectrónica, donde la arsina de alta pureza permite la producción de semiconductores de arseniuro de galio. La toxicidad extrema del compuesto requiere protocolos de manejo rigurosos, con límites de exposición ocupacional entre los más restrictivos para productos químicos industriales. La arsina exhibe estabilidad cinética en condiciones ambientales pero sufre descomposición rápida a temperaturas elevadas, particularmente en presencia de superficies catalíticas. Estructura Molecular y EnlaceGeometría Molecular y Estructura ElectrónicaLas moléculas de arsina adoptan una geometría piramidal trigonal consistente con las predicciones de la teoría VSEPR para sistemas AX₃E. El átomo de arsénico posee hibridación sp³ con ángulos de enlace H–As–H de aproximadamente 91,8 grados, ligeramente comprimidos respecto a los ángulos tetraédricos ideales debido a la repulsión par solitario-par de enlace. Las mediciones experimentales confirman longitudes de enlace As–H de 1,519 ångströms mediante difracción de electrones y espectroscopía de microondas. La simetría molecular pertenece al grupo puntual C3v, exhibiendo simetría rotacional triple con planos de reflexión que contienen cada enlace As–H. La configuración electrónica implica al arsénico ([Ar]3d¹⁰4s²4p³) formando tres enlaces covalentes con átomos de hidrógeno (1s¹) mediante superposición de orbitales híbridos sp³. El análisis de orbitales moleculares revela un orbital molecular ocupado más alto principalmente localizado en el par solitario de arsénico, con orbitales moleculares no ocupados más bajos exhibiendo carácter antienlazante σ*. El potencial de ionización mide aproximadamente 9,89 electronvoltios, mientras que la afinidad electrónica permanece negativa en −1,3 electronvoltios, indicando formación preferencial de aniones mediante captura de electrones. Enlace Químico y Fuerzas IntermolecularesEl enlace covalente en la arsina implica una polaridad significativa con momentos dipolares calculados de 0,20 debye. La diferencia de electronegatividad entre el arsénico (2,18 escala de Pauling) y el hidrógeno (2,20 escala de Pauling) crea una polaridad de enlace mínima, aunque la asimetría molecular genera un dipolo medible. Las energías de disociación de enlace para los enlaces As–H miden aproximadamente 297 kilojulios por mol, intermedias entre la fosfina (322 kilojulios por mol) y la estibina (257 kilojulios por mol). Las interacciones intermoleculares consisten principalmente en fuerzas débiles de van der Waals con contribuciones de dispersión de Londres dominando debido al carácter no polar del compuesto. La capacidad negligible de enlace de hidrógeno distingue a la arsina del amoníaco mientras se alinea con las tendencias observadas en hidruros de pnictógeno más pesados. Las interacciones moleculares en fase gaseosa exhiben profundidades de pozo potencial de aproximadamente 12 kilojulios por mol, consistentes con complejos típicos de van der Waals. El punto de ebullición bajo (−62,5 grados Celsius) del compuesto refleja estas débiles fuerzas intermoleculares a pesar de la masa molecular relativamente alta (77,9454 gramos por mol). Propiedades FísicasComportamiento de Fase y Propiedades TermodinámicasLa arsina existe como un gas incoloro en condiciones estándar con una densidad de 4,93 gramos por litro a 0 grados Celsius y 1 atmósfera de presión. El gas es aproximadamente 2,5 veces más denso que el aire, contribuyendo a su acumulación en áreas bajas. La fase líquida, observable por debajo de −62,5 grados Celsius, exhibe una densidad de 1,640 gramos por mililitro a −64 grados Celsius. La arsina sólida forma cristales blancos que se funden a −111,2 grados Celsius. La curva de presión de vapor sigue la ecuación log₁₀P = 7,4017 − 1153,6/T, donde P representa la presión en milímetros de mercurio y T la temperatura en kelvin. Los parámetros termodinámicos incluyen entalpía estándar de formación (ΔHf⁰) de +66,4 kilojulios por mol, entropía (S⁰) de 223 julios por kelvin por mol, y capacidad calorífica (Cp) de 38,07 julios por kelvin por mol a 298 kelvin. El compuesto exhibe una temperatura crítica de 99,9 grados Celsius y una presión crítica de 65,4 atmósferas. El punto triple ocurre a −111,0 grados Celsius y 0,098 atmósferas. Las mediciones del índice de refracción producen valores de 1,00087 para la fase gaseosa a temperatura y presión estándar y 1,460 para la fase líquida a −64 grados Celsius. Características EspectroscópicasLa espectroscopía infrarroja revela tres modos vibracionales fundamentales: estiramiento simétrico (ν₁) a 2114 centímetros recíprocos, flexión degenerada (ν₂) a 906 centímetros recíprocos, y estiramiento degenerado (ν₃) a 2123 centímetros recíprocos. Las vibraciones activas en Raman incluyen el estiramiento simétrico a 2114 centímetros recíprocos y la flexión simétrica a 1002 centímetros recíprocos. La espectroscopía de resonancia magnética nuclear muestra desplazamientos químicos de 1H en δ 1,3 ppm relativos al tetrametilsilano y resonancias de 75As a −710 ppm relativas al arseniato de sodio acuoso. La espectroscopía ultravioleta-visible demuestra máximos de absorción débiles a 200 nanómetros (ε = 100 litros por mol por centímetro) correspondientes a transiciones n→σ*. El análisis espectrométrico de masas exhibe patrones de fragmentación característicos con ion padre m/z 78 (AsH₃⁺), seguido de fragmentos de pérdida sucesiva de hidrógeno a m/z 77 (AsH₂⁺), 76 (AsH⁺), y 75 (As⁺). El patrón isotópico refleja la distribución natural de arsénico (75As 100%, 73As trazas). La espectroscopía fotoelectrónica revela potenciales de ionización a 10,50 electronvoltios (ionización de par solitario) y 13,35 electronvoltios (ionización de orbital de enlace As–H). Propiedades Químicas y ReactividadMecanismos de Reacción y CinéticaLa arsina sufre descomposición térmica mediante un mecanismo autocatalítico con energía de activación de 190 kilojulios por mol. La descomposición sigue cinética de segundo orden a temperaturas entre 230–400 grados Celsius, produciendo arsénico elemental e hidrógeno gaseoso. La constante de velocidad de reacción mide 2,3 × 10¹² exp(−190,000/RT) segundos⁻¹, donde R representa la constante de los gases (8,314 julios por mol por kelvin) y T la temperatura en kelvin. Las reacciones de oxidación proceden rápidamente con oxígeno, exhibiendo vidas medias de aproximadamente 30 minutos a 25 grados Celsius en aire. El mecanismo de oxidación implica la formación de trióxido de arsénico y agua a través de especies intermedias de peróxido de arsénico. Las reacciones de halogenación ocurren violentamente con flúor y cloro, produciendo trihaluros de arsénico y haluros de hidrógeno. La reacción con iones metálicos, particularmente plata(I) y cobre(II), forma arseniuros metálicos mediante procesos redox. La prueba de Gutzeit demuestra esta reactividad, produciendo arseniuro de plata amarillo (Ag4AsNO3) o arseniuro de plata negro (Ag3As) dependiendo de las condiciones de reacción. La química de coordinación implica que la arsina actúa como un ligante σ-donor débil, formando complejos con metales de transición incluyendo manganeso, hierro y cobalto. Propiedades Ácido-Base y RedoxLa arsina exhibe un carácter ácido extremadamente débil con valores de pKa estimados que exceden 35 en solución acuosa. La desprotonación requiere bases fuertes como amiduro de sodio en amoníaco líquido, produciendo arseniuro de sodio (NaAsH2). La protonación ocurre solo bajo condiciones superácidas, generando el ion arsonio ([AsH4]⁺) que es aislable como sales con aniones débilmente coordinantes. Las propiedades redox incluyen un potencial de reducción estándar de −0,608 voltios para la pareja AsH3/As en solución acuosa. El compuesto funciona como un agente reductor en numerosas reacciones, reduciendo permanganato, dicromato y varios iones metálicos. La oxidación electroquímica procede a través de procesos de transferencia de un electrón con potencial formal de +0,254 voltios versus el electrodo estándar de hidrógeno. La estabilidad en solución acuosa prueba ser limitada, con hidrólisis ocurriendo lentamente a pH neutro y rápidamente bajo condiciones ácidas o básicas. El compuesto permanece estable en disolventes orgánicos anhidros pero se descompone tras almacenamiento prolongado debido a trazas de oxidantes o impurezas catalíticas. Métodos de Síntesis y PreparaciónRutas de Síntesis en LaboratorioLa preparación de laboratorio típicamente emplea la reducción de compuestos de arsénico(III) bajo condiciones controladas. El método clásico de la prueba de Marsh utiliza la reducción con zinc de trióxido de arsénico en solución de ácido sulfúrico: As2O3 + 6Zn + 6H2SO4 → 2AsH3 + 6ZnSO4 + 3H2O. La síntesis moderna de laboratorio a menudo emplea la reducción de tricloruro de arsénico con borohidruro de sodio: 4AsCl3 + 3NaBH4 → 4AsH3 + 3NaCl + 3BCl3. Las rutas alternativas implican hidrólisis de arseniuros metálicos, particularmente arseniuro de zinc (Zn3As2) o arseniuro de sodio (Na3As), con ácidos minerales. Estas reacciones requieren control cuidadoso de la temperatura y atmósferas inertes para prevenir descomposición prematura. Los métodos de purificación incluyen condensación fraccionada a −55 grados Celsius o lavado a través de soluciones alcalinas para eliminar impurezas ácidas. Los rendimientos típicamente oscilan entre 60–85% dependiendo de la metodología específica y las técnicas de purificación. El compuesto debe manejarse en vidriería especializada o sistemas metálicos debido a su toxicidad extrema y naturaleza pirofórica. Métodos de Producción IndustrialLa producción industrial escala el proceso de reducción con borohidruro de sodio de laboratorio utilizando reactores de flujo continuo con control estricto de temperatura y presión. Las instalaciones de producción típicas operan a presiones de 2–5 atmósferas y temperaturas de −20 a 0 grados Celsius para maximizar el rendimiento y minimizar la descomposición. Los procesos industriales alternativos emplean la reducción electrolítica de soluciones de arsénico o reacciones en fase gaseosa entre hidrógeno y vapor de arsénico a temperaturas elevadas (400–600 grados Celsius). La industria de semiconductores utiliza arsina de alta pureza generada mediante purificación del producto crudo por destilación a baja temperatura y cromatografía de adsorción. El almacenamiento y transporte emplean cilindros especializados con sistemas de presión subatmosférica donde la arsina está adsorbida en materiales microporosos, reduciendo significativamente los riesgos de fugas. Los volúmenes de producción permanecen relativamente limitados debido a la toxicidad extrema, con la producción global estimada en 10–20 toneladas métricas anuales. Los factores económicos favorecen la generación in situ para aplicaciones de semiconductores en lugar de la producción centralizada a gran escala. Métodos Analíticos y CaracterizaciónIdentificación y CuantificaciónLa detección analítica emplea varias técnicas complementarias con cromatografía de gases acoplada con detección por emisión atómica proporcionando sensibilidad hasta 0,1 partes por billón. Los métodos colorimétricos basados en el principio de la prueba de Gutzeit ofrecen límites de detección de 1 microgramo por metro cúbico utilizando reactivo de dietilditiocarbamato de plata formando complejos rojos medibles a 520 nanómetros. La espectroscopía infrarroja de transformada de Fourier proporciona identificación específica a través de vibraciones características de estiramiento As–H a 2114–2123 centímetros recíprocos con capacidades cuantitativas hasta 0,5 partes por millón. Los sensores electroquímicos que utilizan matrices de electrodos de oro alcanzan límites de detección de 0,01 partes por millón mediante deposición de arsénico y voltametría de redisolución. La espectroscopía fotoacústica láser demuestra sensibilidad excepcional hasta 0,001 partes por millón midiendo ondas sonoras generadas mediante fotoabsorción selectiva de arsina. Los métodos espectrométricos de masas proporcionan identificación definitiva a través de patrones de fragmentación característicos y distribuciones isotópicas con monitoreo de iones seleccionados logrando límites de detección de partes por billón. El monitoreo de aire típicamente emplea colección en impinger en solución de permanganato alcalino seguido de espectrometría de absorción atómica con generación de hidruros. Evaluación de Pureza y Control de CalidadLa arsina de grado semiconductor debe cumplir especificaciones de pureza estrictas con requisitos típicos de pureza mínima del 99,9999%. Las impurezas críticas incluyen humedad (< 0,1 partes por millón), oxígeno (< 0,5 partes por millón), dióxido de carbono (< 0,5 partes por millón), y otros hidruros (fosfina, estibina < 0,1 partes por millón). El control de calidad emplea cromatografía de gases con detección por ionización de helio por descarga pulsada capaz de cuantificar impurezas a niveles de 0,01 partes por millón. El análisis de gases residuales utilizando espectrometría de masas monitorea contaminantes atmosféricos y productos de descomposición. El análisis de humedad utiliza microbalanzas de cristal de cuarzo piezoeléctrico o espectroscopía de cavidad ring-down. Las pruebas de estabilidad confirman menos del 0,1% de descomposición por mes a temperatura ambiente en contenedores adecuadamente pasivados. La certificación de cilindros requiere pruebas para contaminación particulada mediante técnicas de dispersión láser y análisis de impurezas metálicas mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente. Los estudios de compatibilidad de almacenamiento demuestran estabilidad aceptable en cilindros de acero al carbono con tratamientos superficiales especializados pero prefieren aleaciones de aluminio para aplicaciones de alta pureza. Aplicaciones y UsosAplicaciones Industriales y ComercialesLa aplicación industrial principal implica la fabricación de semiconductores donde la arsina sirve como fuente de dopante tipo n para cristales de silicio y germanio. Los procesos de implantación iónica utilizan plasma derivado de arsina para introducir átomos de arsénico en redes semiconductoras con control de concentración preciso. La deposición química en fase vapor de arseniuro de galio emplea la reacción entre trimetilgalio y arsina a 700–900 grados Celsius: Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3CH4. Este proceso produce sustratos de arseniuro de galio de alta pureza para dispositivos optoelectrónicos, células solares y transistores de alta frecuencia. Las aplicaciones menores incluyen la síntesis orgánica donde la arsina participa en reacciones de hidroarsenación o sirve como precursor de compuestos organoarsénicos. El uso histórico en aplicaciones militares como agente de guerra química fue contemplado pero abandonado debido a alta inflamabilidad y alternativas superiores. El compuesto encuentra uso limitado en procesos metalúrgicos para introducción de arsénico en aleaciones especializadas y como agente reductor en aplicaciones electroquímicas específicas. Aplicaciones de Investigación y Usos EmergentesLas aplicaciones de investigación se centran en la ciencia de materiales donde la arsina permite la síntesis de nanomateriales semiconductores que contienen arsénico incluyendo puntos cuánticos y nanohilos. El compuesto facilita la investigación de la química de pnictógenos mediante estudios comparativos con fosfina y estibina. La investigación de ciencia de superficies emplea arsina para estudiar mecanismos de adsorción y descomposición de arsénico en varias superficies metálicas y semiconductoras. Las aplicaciones emergentes exploran derivados de arsina en catálisis, particularmente en reacciones de hidroformilación e hidrogenación donde los ligandos de arsina modifican la selectividad del catalizador metálico. El desarrollo de sistemas de almacenamiento y suministro de arsina continúa avanzando con énfasis en seguridad y control de precisión para la fabricación de semiconductores. La investigación en metodologías de detección busca sensibilidad y selectividad mejoradas para monitoreo ambiental y aplicaciones de higiene industrial. Los estudios fundamentales de enlace y estructura utilizan arsina como un sistema modelo para cálculos teóricos e investigaciones espectroscópicas de compuestos de pnictógenos pesados. Desarrollo Histórico y DescubrimientoEl descubrimiento de la arsina data de 1775 cuando Carl Wilhelm Scheele observó su formación durante la reducción con zinc de trióxido de arsénico en solución ácida. Esta observación precedió al establecimiento de la química moderna por Antoine Lavoisier y ocurrió durante el período del flogisto de la química. James Marsh desarrolló el método de detección sistemática en 1836, creando la primera prueba forense confiable para envenenamiento por arsénico. La prueba de Marsh revolucionó la ciencia forense y permaneció como el método estándar de detección de arsénico durante casi un siglo. La caracterización estructural avanzó throughout el siglo XIX con la determinación de la fórmula molecular (AsH3) y propiedades básicas. El siglo XX trajo la comprensión de la geometría molecular through estudios de cristalografía de rayos X y difracción de electrones. Las aplicaciones industriales emergieron en la década de 1950 con el desarrollo de la tecnología de semiconductores, particularly la fabricación de dispositivos de arseniuro de galio. Las consideraciones de seguridad se intensificaron durante las décadas de 1960–1970 a medida que se establecieron límites de exposición ocupacional basados en una comprensión toxicológica mejorada. La investigación moderna continúa refinando metodologías de síntesis, manejo y aplicación mientras que los estudios fundamentales exploran patrones de enlace y reactividad. ConclusiónLa arsina ocupa una posición única en la química inorgánica como el hidruro de arsénico más simple y un compuesto industrial importante a pesar de su toxicidad extrema. La estructura piramidal trigonal del compuesto y las débiles fuerzas intermoleculares resultan en propiedades físicas típicas de hidruros de pnictógenos pesados. La reactividad química abarca patrones de descomposición térmica, oxidación y química de coordinación que siguen tendencias periódicas dentro del Grupo 15. La importancia industrial proviene primarily de aplicaciones de semiconductores donde la arsina de alta pureza permite el dopado preciso y la deposición de semiconductores compuestos. Los métodos analíticos logran una sensibilidad excepcional requerida tanto para el control de calidad como para el monitoreo de seguridad. La importancia histórica en la ciencia forense through la prueba de Marsh demuestra la relevancia química de larga data del compuesto. Las direcciones futuras de investigación incluyen el desarrollo de sistemas de manejo más seguros, la exploración de nuevas rutas de síntesis de materiales e investigaciones fundamentales del enlace y reactividad del arsénico. El compuesto continúa sirviendo tanto como un material prácticamente útil como un sistema científicamente interesante para estudiar la química de elementos pesados. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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