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Indio @ Tabla Periódica de los Elementos Químicos

12345678 910111213141516 1718
IIIIIIbIVb VbVIbVIIbVIIIbIb IIbIIIIVVVI VIIVIII
1H
1.0079
2He
4.0026
3Li
6.9412
4Be
9.0121
5B
10.811
6C
12.010
7N
14.006
8O
15.999
9F
18.998
10Ne
20.179
11Na
22.989
12Mg
24.305
13Al
26.981
14Si
28.085
15P
30.973
16S
32.065
17Cl
35.453
18Ar
39.948
19K
39.098
20Ca
40.078
21Sc
44.955
22Ti
47.867
23V
50.941
24Cr
51.996
25Mn
54.938
26Fe
55.845
27Co
58.933
28Ni
58.693
29Cu
63.546
30Zn
65.409
31Ga
69.723
32Ge
72.641
33As
74.921
34Se
78.963
35Br
79.904
36Kr
83.798
37Rb
85.467
38Sr
87.621
39Y
88.905
40Zr
91.224
41Nb
92.906
42Mo
95.942
43Tc
98.906
44Ru
101.07
45Rh
102.90
46Pd
106.42
47Ag
107.86
48Cd
112.41
49In
114.81
50Sn
118.71
51Sb
121.76
52Te
127.60
53I
126.90
54Xe
131.29
55Cs
132.90
56Ba
137.32
57La
138.90
72Hf
178.49
73Ta
180.94
74W
183.84
75Re
186.20
76Os
190.23
77Ir
192.21
78Pt
195.08
79Au
196.96
80Hg
200.59
81Tl
204.38
82Pb
207.21
83Bi
208.98
84Po
208.98
85At
209.98
86Rn
222.01
87Fr
223.01
88Ra
226.02
89Ac
227.02
104Rf
261.10
105Db
262.11
106Sg
266.12
107Bh
264.12
108Hs
269
109Mt
278
110Ds
281
111Rg
282
112Cn
285
113Nh
286
114Fl
289
115Mc
290
116Lv
293
117Ts
294
118Og
294
Lantanoides58Ce
140.11
59Pr
140.90
60Nd
144.24
61Pm
146.91
62Sm
150.36
63Eu
151.96
64Gd
157.25
65Tb
158.92
66Dy
162.50
67Ho
164.93
68Er
167.25
69Tm
168.93
70Yb
173.04
71Lu
174.96
Actinoides90Th
232.03
91Pa
231.03
92U
238.02
93Np
237.04
94Pu
244.06
95Am
243.06
96Cm
247.07
97Bk
247.07
98Cf
251.07
99Es
252.08
100Fm
257.09
101Md
258.09
102No
259.10
103Lr
260.10
Metales alcalinos Metales alcalinotérreos Los metales de transición Otros metales Metaloides No metales Halógenos Los gases nobles
Elemento

49

In

Indio

114.8183

2
8
18
18
3
Indio foto
Propiedades básicas
Número atómico49
Peso atómico114.8183 amu
Familia de elementosOtros metales
Período5
Grupo13
Bloquearp-block
año de descubrimiento1863
Distribución de isótopos
113In
4.29%
Propiedades físicas
Densidad 7.31 g/cm3 (STP)
H (H) 8.988E-5
Meitnerio (Mt) 28
Fusión156.76 °C
Helio (He) -272.2
Carbón (C) 3675
Ebullición2080 °C
Helio (He) -268.9
Tungsteno (W) 5927
Propiedades químicas
Estados de oxidación
(menos común)
+3
(-5, -2, -1, 0, +1, +2)
Potencial de primera ionización 5.786 eV
Cesio (Cs) 3.894
Helio (He) 24.587
Afinidad electrónica 0.384 eV
Nobelio (No) -2.33
Cl (Cl) 3.612725
Electronegatividad1.78
Cesio (Cs) 0.79
F (F) 3.98
radio atómico
Radio covalente 1.42 Å
H (H) 0.32
Francio (Fr) 2.6
Van der Waals radio 1.93 Å
H (H) 1.2
Francio (Fr) 3.48
Radio metálico 1.67 Å
Berilio (Be) 1.12
Cesio (Cs) 2.65
49InWebQC.OrgCovalenteMetálicoVan der Waals
Compuestos
FórmulaNombreEstado de oxidación
InBrBromuro de indio (I)+1
InClCloruro de indio (i)+1
InIYoduro de indio (i)+1
In2O3Óxido de indio (III)+3
InCl3Cloruro de indio (III)+3
InSbAntimonuro de indio+3
InAsArseniuro de indio+3
InPFosfuro de indio+3
In(CH3COO)3Acetato de indio+3
In(ClO4)3Perclorato de indio+3
In(NO3)3Nitrato de indio (III)+3
In(OH)3Hidróxido de indio (III)+3
Propiedades electrónicas
Electrones por capa2, 8, 18, 18, 3
Configuración electrónica[Kr] 4d105s25p1
Modelo atómico de Bohr
Modelo atómico de Bohr
Diagrama de caja orbital
Diagrama de caja orbital
electrones de valencia3
Estructura de puntos de Lewis Indio Estructura de puntos de Lewis
Visualización orbital
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Electrones-

Indio (In): Elemento de la Tabla Periódica

Artículo de Revisión Científica | Serie de Referencia Química

Resumen

El indio (símbolo: In, número atómico: 49) representa un metal posterior a la transición blando, blanco plateado distinguido por propiedades físicas notables y aplicaciones tecnológicas especializadas. Ubicado en el grupo 13 de la tabla periódica, el indio exhibe predominantemente comportamiento oxidativo trivalente con química monovalente significativa bajo condiciones específicas. El elemento demuestra blandura excepcional (dureza de Mohs 1.2), punto de fusión bajo (156.6°C) y propiedades acústicas únicas al deformarse. La escasez del indio en la corteza terrestre (aproximadamente 0.25 ppm) requiere su extracción exclusivamente como subproducto del procesamiento de minerales sulfurosos de zinc y cobre. Su importancia industrial se centra en aplicaciones de óxidos conductores transparentes, especialmente óxido de indio y estaño (ITO) para pantallas electrónicas, tecnologías de semiconductores compuestos y aplicaciones metalúrgicas especializadas que requieren fusión a bajas temperaturas.

Introducción

El indio ocupa una posición única entre los metales posteriores a la transición, demostrando propiedades químicas que conectan el comportamiento metálico típico con características semiconductoras esenciales para la electrónica moderna. Ubicado entre el galio y el talio en el grupo 13, el indio manifiesta el incremento en la prevalencia del efecto del par inerte, donde los electrones 5s muestran reticencia a participar en enlaces químicos debido a la estabilización relativista. El descubrimiento del elemento en 1863 por Ferdinand Reich y Hieronymus Theodor Richter mediante análisis espectroscópico de minerales de zinc marcó un avance significativo en metodologías de química analítica. La configuración electrónica del indio [Kr]4d105s25p1 proporciona tres electrones de valencia, permitiendo estados de oxidación In+ e In3+ con estabilidades termodinámicas distintas. Las aplicaciones tecnológicas contemporáneas explotan las propiedades excepcionales del indio en materiales conductores transparentes, semiconductores III-V y aleaciones de soldadura de precisión donde son ventajosos los puntos bajos de fusión y sus excelentes características de mojado.

Propiedades Físicas y Estructura Atómica

Parámetros Atómicos Fundamentales

El indio exhibe número atómico 49 con un peso atómico estándar de 114.818 ± 0.001 u, reflejando su posición como el elemento estable más pesado del grupo 13 bajo el umbral del efecto del par inerte. La configuración electrónica [Kr]4d105s25p1 muestra un llenado completo del orbital d con un solo electrón p que gobierna gran parte de su comportamiento químico. Las mediciones del radio atómico arrojan 167 pm para el radio metálico y 80 pm para el radio iónico In3+, consistentes con las tendencias periódicas que muestran contracción tras la oxidación. La carga nuclear efectiva experimentada por los electrones de valencia alcanza aproximadamente 3.1, moderada por blindaje sustancial desde los orbitales d llenos. Las determinaciones del radio covalente sitúan al indio en 142 pm, intermedio entre el galio (122 pm) y el talio (145 pm), reflejando el aumento gradual del tamaño atómico hacia abajo en el grupo a pesar de los efectos de contracción relativista.

Características Físicas Macroscópicas

El indio se presenta como un metal brillante, blanco plateado con malleabilidad y ductilidad excepcionales que permiten cortarlo con cuchillos comunes y dejar marcas visibles en superficies de papel. El elemento cristaliza en una estructura tetragonal centrada en el cuerpo dentro del grupo espacial I4/mmm, caracterizada por parámetros de red a = 325 pm y c = 495 pm, representando un arreglo cúbico centrado en las caras ligeramente distorsionado. La fusión ocurre a 429.75 K (156.6°C), significativamente más baja que la mayoría de los metales, reflejando enlaces metálicos débiles atribuibles a la limitada delocalización de electrones. Las mediciones del punto de ebullición establecen 2345 K (2072°C) bajo condiciones estándar, produciendo un rango líquido inusualmente amplio de aproximadamente 1915 K. Las determinaciones de densidad proporcionan 7.31 g cm-3 a 298 K, intermedia entre el galio (5.91 g cm-3) y el talio (11.85 g cm-3). La conductividad térmica alcanza 81.8 W m-1 K-1, mientras que la resistividad eléctrica mide 83.7 nΩ m a 293 K, indicando carácter metálico moderado. Durante deformación mecánica ocurre emisión acústica notable, produciendo "gritos" audibles similares al estaño al doblarse, atribuidos a fenómenos de macla cristalina durante flujo plástico.

Propiedades Químicas y Reactividad

Estructura Electrónica y Comportamiento de Enlace

La reactividad química del indio deriva de su configuración [Kr]4d105s25p1, donde el electrón 5p único participa fácilmente en enlaces mientras que el par 5s2 muestra creciente reticencia hacia participación química. El elemento adopta comúnmente el estado +3 mediante donación de los tres electrones de valencia, formando cationes In3+ con configuración de gas noble. Alternativamente, el indio manifiesta oxidación +1 mediante pérdida exclusiva del electrón 5p, reteniendo el par 5s2 debido a la estabilización del efecto del par inerte. La formación de enlaces típicamente involucra hibridación sp3 en complejos In3+ tetraédricos, aunque ocurren números de coordinación 4, 6 y 8 dependiendo del tamaño y requerimientos electrónicos de los ligandos. Los enlaces covalentes en compuestos organometálicos demuestran energías de enlace In-C promedio de 280-320 kJ mol-1, considerablemente más débiles que los análogos de aluminio. La química de coordinación con donantes de nitrógeno y oxígeno produce complejos estables con constantes de formación típicamente entre 108 y 1012 M-1 para especies In3+.

Propiedades Electroquímicas y Termodinámicas

Las mediciones de electronegatividad sitúan al indio en 1.78 en la escala de Pauling, reflejando una capacidad moderada de atracción electrónica intermedia entre galio (1.81) y talio (1.62). Las energías sucesivas de ionización demuestran 558.3 kJ mol-1 para la primera ionización, 1820.8 kJ mol-1 para la segunda y 2704 kJ mol-1 para la tercera, con el gran aumento entre segunda y tercera indicando preferencia por oxidación +2 sobre +3 desde perspectiva termodinámica. Los potenciales de reducción estándar varían considerablemente con condiciones de solución: In3+ + 3e- → In exhibe E° = -0.3382 V, mientras que In+ + e- → In muestra E° = -0.14 V, indicando mayor estabilidad del indio metálico relativo a In+ que a In3+. La afinidad electrónica alcanza -28.9 kJ mol-1, reflejando tendencia mínima hacia formación de aniones. Los cálculos de estabilidad termodinámica revelan que las especies In3+ son generalmente más estables en soluciones acuosas, aunque los compuestos In+ demuestran poder reductor significativo con aplicaciones en química sintética.

Compuestos Químicos y Formación de Complejos

Compuestos Binarios y Ternarios

El óxido de indio In2O3 representa el óxido estable termodinámicamente, formado mediante oxidación directa a altas temperaturas o descomposición térmica de hidróxidos y nitratos. El compuesto adopta una estructura tipo corindón con In3+ ocupando sitios octaédricos, exhibiendo comportamiento anfótero que se disuelve en ácidos fuertes y álcalis concentrados. La entalpía de formación mide -925.8 kJ mol-1, indicando estabilidad termodinámica sustancial relativa a sus elementos constituyentes. Los trihaluros InF3, InCl3, InBr3 e InI3 se forman mediante halogenación directa, con puntos de fusión decreciendo sistemáticamente: InF3 (1170°C) > InCl3 (583°C) > InBr3 (420°C) > InI3 (207°C), reflejando disminución de energías reticulares con aumento del tamaño del anión. Estos compuestos actúan como ácidos de Lewis, aceptando pares de electrones desde moléculas donantes con constantes de unión comparables a los trihaluros de aluminio. La formación de calcógenos produce In2S3, In2Se3 e In2Te3 mediante síntesis directa, con estructuras cristalinas cúbicas y propiedades semiconductoras explotadas en aplicaciones fotoconductoras.

Química de Coordinación y Compuestos Organometálicos

Los complejos de coordinación del indio típicamente exhiben geometría octaédrica alrededor de centros In3+, aunque ocurren arreglos tetraédricos y planos cuadrados con conjuntos específicos de ligandos. En solución acuosa, el In3+ existe como [In(H2O)6]3+ con cinética rápida de intercambio de agua (kex ≈ 108 s-1 a 298 K) facilitando reacciones de sustitución de ligandos. Ligandos quelantes como el ácido etilendiaminotetraacético (EDTA) forman complejos altamente estables con valores log Kf superiores a 24, permitiendo separaciones analíticas y aplicaciones radiofarmacéuticas. La química organometálica se centra en trimetilindio In(CH3)3, un líquido incoloro empleado extensamente en deposición de semiconductores III-V por vapor. El compuesto exhibe simetría C3v con longitudes de enlace In-C de 216 pm y demuestra descomposición térmica sobre 200°C para depositar películas de indio metálico. Los complejos de cianociclopentadienilo de indio adoptan estructuras poliméricas mediante ligandos puente, contrastando con los análogos monoméricos de aluminio y reflejando capacidades reducidas de enlace π en elementos más pesados del grupo 13.

Ocurrencia Natural y Análisis Isotópico

Distribución y Abundancia Geoquímicas

El indio se encuentra entre los elementos estables más escasos en la corteza terrestre con estimados de abundancia de 0.25 ± 0.05 ppm, comparables a concentraciones de plata y mercurio. Su distribución geoquímica sigue comportamiento calcófilo, concentrándose en fases minerales sulfurosas durante diferenciación magmática y procesos hidrotermales. Su ocurrencia principal involucra incorporación en estructuras de esfalerita (ZnS) mediante substitución isomórfica, con concentraciones típicas entre 10 y 100 ppm en depósitos de zinc económicos. También ocurre en calcopirita (CuFeS2) proporcionando oportunidades secundarias de recuperación, aunque concentraciones raramente exceden 10 ppm. Minerales raros de indio incluyen roquesita (CuInS2) y dzhalindita (In(OH)3), aunque ninguna ocurre en concentraciones económicamente viables. La fraccionación geoquímica durante formación de minerales concentra el indio mediante fluidos hidrotermales, con máximos de enriquecimiento en depósitos epitermales y de tipo skarn con mineralización elevada de zinc y cobre.

Propiedades Nucleares y Composición Isotópica

El indio natural comprende dos isótopos: 113In (4.29% de abundancia) representando el único isótopo estable, y 115In (95.71% de abundancia) exhibiendo una vida media extraordinariamente larga de 4.41 × 1014 años mediante decaimiento β- a 115Sn. El predominio del isótopo radiactivo refleja síntesis nuclear mediante procesos de captura lenta de neutrones en ambientes estelares, donde la formación de 115In excede las tasas de producción de 113In. Los estados de espín nuclear asignan I = 9/2 para ambos isótopos naturales, con momentos magnéticos de +5.5289 μN para 113In y +5.5408 μN para 115In, permitiendo aplicaciones de resonancia magnética nuclear. Las secciones eficaces de captura de neutrones térmicos alcanzan valores excepcionales: 12.1 barnes para 113In y 202 barnes para 115In, facilitando análisis por activación neutrónica y aplicaciones de control en reactores nucleares. Los isótopos artificiales abarcan desde 97In hasta 135In, con 111In (vida media 2.8 días) sirviendo como radioisótopo médico importante para imágenes diagnósticas mediante emisión gamma a 171 y 245 keV.

Producción Industrial y Aplicaciones Tecnológicas

Metodologías de Extracción y Purificación

La producción de indio ocurre exclusivamente como subproducto durante operaciones de fundición de zinc y cobre, con tasas de recuperación típicamente entre 40% y 70% del metal contenido dependiendo de la optimización del proceso. La extracción primaria comienza con la tostación de concentrados sulfurosos a 900-1000°C, durante la cual el indio volatiliza parcialmente y se concentra en polvos y residuos de horno. Las operaciones subsecuentes de lixiviación con soluciones de ácido sulfúrico disuelven el indio junto con zinc y otros metales, requiriendo precipitación selectiva o extracción con disolvente para su separación. Resinas de intercambio iónico y extracción con ácido bis(2-etilhexil)fosfórico logran purificación del indio desde soluciones metálicas mixtas, con recuperación mediante ácido clorhídrico diluido. La purificación final emplea refinación electrolítica en medios sulfato o cloruro ácidos, produciendo metal de indio 99.99% puro adecuado para aplicaciones electrónicas. La capacidad de producción mundial alcanza aproximadamente 1,500 toneladas anuales, con China (60%), Corea del Sur (20%) y Japón (15%) dominando las cadenas de suministro. Los costos de procesamiento promedian $200-400 por kilogramo, reflejando los requerimientos complejos de separación y la escasez de minerales.

Aplicaciones Tecnológicas y Perspectivas Futuras

Las aplicaciones de conductores transparentes consumen aproximadamente 75% de la producción mundial de indio, principalmente mediante recubrimientos de óxido de indio y estaño (ITO) en sustratos de vidrio para pantallas de cristal líquido, pantallas táctiles y dispositivos fotovoltaicos. Las películas de ITO exhiben valores de resistencia superficial de 10-100 Ω/cuadrado manteniendo transmisión óptica >85% en longitudes de onda visibles, propiedades que no son superadas por materiales alternativos. Las tecnologías de semiconductores compuestos utilizan 15% del suministro de indio para producir InP, InAs, InSb y materiales relacionados en electrónica de alta frecuencia, detectores infrarrojos y diodos emisores de luz. Las aplicaciones metalúrgicas representan 8% del consumo mediante soldaduras de punto bajo de fusión, aleaciones para cojinetes y materiales de sellado especializados que explotan las características excepcionales de mojado y propiedades térmicas del indio. Las barras de control en reactores nucleares incorporan aleaciones de plata-indio-cadmio conteniendo 15% de indio, aprovechando las altas secciones eficaces de absorción de neutrones térmicos para regulación de reactores. Aplicaciones emergentes incluyen electrónica flexible, síntesis de puntos cuánticos y tecnologías fotovoltaicas avanzadas que requieren compuestos especializados de indio. Las preocupaciones por seguridad del suministro impulsan investigaciones hacia reciclaje del indio desde electrónicos en desuso y exploración de materiales alternativos, aunque combinaciones únicas de propiedades sugieren importancia tecnológica continuada a pesar de las limitaciones de disponibilidad.

Desarrollo Histórico y Descubrimiento

El descubrimiento del indio emergió mediante investigación espectroscópica sistemática de minerales de zinc desde Freiberg, Sajonia, conducida por Ferdinand Reich y Hieronymus Theodor Richter en 1863. La ceguera al color de Reich requirió colaboración con Richter para identificación de líneas espectrales, conduciendo a la observación de una emisión desconocida azul brillante a 451.1 nm durante espectroscopía de llama de muestras minerales disueltas. La coloración índigo distintiva motivó el nombre derivado del latín "indicum", referenciando la firma espectral característica en lugar de asociaciones geográficas con India. Richter logró la primera aislación metálica en 1864 mediante reducción electrolítica, produciendo pequeñas cantidades de indio puro para caracterización. Las investigaciones iniciales revelaron blandura excepcional, punto de fusión bajo y similitudes químicas con aluminio y galio, estableciendo posición del indio en la clasificación periódica emergente. Las aplicaciones industriales permanecieron limitadas hasta la década de 1920 cuando aleaciones conteniendo indio se emplearon en cojinetes de motores aeronáuticos durante desarrollo de aviación. Las aplicaciones semiconductoras surgieron en la década de 1950 con avances en tecnología de transistores, seguidas por aplicaciones en conductores transparentes desde la década de 1980 coincidiendo con comercialización de pantallas de cristal líquido. La investigación contemporánea se enfoca en propiedades mecánicas cuánticas, síntesis de materiales avanzados y métodos sostenibles de producción reflejando la transición del indio desde curiosidad de laboratorio a material tecnológico crítico.

Conclusión

El indio ocupa una posición distinta entre los elementos por su combinación de propiedades físicas inusuales, comportamiento químico especializado y aplicaciones tecnológicas críticas. Sus características como metal posterior a la transición, manifestadas mediante efectos del par inerte y estados de oxidación variables, proporcionan perspectivas fundamentales sobre tendencias periódicas e influencias relativistas en enlaces químicos. Su importancia tecnológica en conductores transparentes, semiconductores compuestos y metalurgia de precisión establece al indio como esencial para electrónica moderna a pesar de su abundancia natural extremadamente limitada. Las direcciones futuras de investigación abarcan métodos de recuperación sostenible, desarrollo de materiales alternativos y explotación de propiedades mecánicas cuánticas en tecnologías emergentes. La expansión continua de mercados de dispositivos electrónicos sugiere demanda persistente para materiales basados en indio, requiriendo investigación continua hacia estrategias eficientes de producción, reciclaje y sustitución para asegurar suministro adecuado al avance tecnológico.

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